上海微电子新一代前道光刻机模型亮相进博会
驱动中国11月8日消息,第九届中国国际进口博览会上,上海微电子装备集团展出自主研发的新一代前道干式光刻机通用技术平台模型,展示我国前道光刻装备自主化阶段性成果,该平台适配I-line与KrF路线,核心部件实现全链条自主可控。
驱动中国11月8日消息,第九届中国国际进口博览会11月5日在国家会展中心(上海)开幕,上海微电子装备(集团)股份有限公司携自主研发的新一代前道干式光刻机通用技术平台模型亮相,呈现我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。
SMEE成立于2002年3月,位于上海,隶属上海电气集团,注册资本约2.66亿元人民币。企业将自身定位为承担国家专项任务的市场化公司,自“十五”起先后承担多个国家IC前道光刻机研制专项任务。该公司是国内唯一具备前道干式光刻机稳定量产交付能力的制造商,也是我国前道光刻装备自主供给体系的核心支撑主体。
展出的模型采用透明剖视设计,直观呈现整机光学光路与内部机电系统的链路布局。该平台为国产标准化前道光刻装备架构,适配I-line、KrF两类主流技术路线。高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、一体化自动物料传输系统、高精度对准调平传感系统等整机核心部件实现全链条自主可控,具备稳定工艺适配能力与产线运行可靠性。
目前,国产前道干式光刻机成像性能与国际同类领先产品水平相当,套刻精度和生产效率持续追赶国际标杆。多台设备已在国内头部逻辑、存储量产线长期稳定运行,累计支持产线流片超过千万片,设备有效运行率超过92%。相关进展形成自主技术可控、国产替代落地和产业链安全可靠的核心优势,可支撑半导体、泛半导体产业发展需求。
按半导体制造工序,光刻设备分为前道和后道两类。前道光刻机用于晶圆制造,后道为封装光刻机,精度和价值低于前道设备。I-line与KrF均属于深紫外光源,波长分别为365纳米和248纳米,主要服务成熟制程;另有193纳米ArF干式与浸没式方案,其中浸没式可提供深紫外类别中分辨率和处理能力上限。双工件台是提升光刻机产能的关键技术,采用双工作台系统后,设备可在保持速度和加速度稳定前提下让两个工作台同时运作。