UFS 3.0闪存试产成功,更加适合笔记本?

  • 来源: 驱动号 作者: 钉科技 2019-01-28/11:22 访问量:
  • [钉科技报道] 近日,东芝储存公司(Toshiba Memory Corporation)宣布,已经试产成功全球第一个UFS3.0闪存。据了解,这次试产的容量版本有三个,分别为128GB、256GB和512GB。

    当下智能手机主流旗舰机型应用的是UFS 2.1规格的闪存芯片。去年年初,UFS 3.0规格正式推出,但芯片迟迟没有实现量产,东芝则打破了僵局。

    据了解,从规格上来看,三款闪存芯片基于东芝的96层BiCS4 3D TLC NAND存储器,其理论接口速度为每通道每秒11.6Gbps,在双通道下可以实现23.2Gbps带宽。

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    东芝方面认为这款新产品最终的顺序读写速度将高达2900MB/s,512GB版本的产品,在顺序读取和写入方面相比东芝的上一代产品性能提升约为70%。

    首款采用UFS 3.0闪存的设备预计在今年内上市。

    东芝方面尚未透露其UFS 3.0芯片随机读写速度,在智能手机上的应用场景性能提升尚未明确,但是其2900MB/s的顺序读写成绩已经可以媲美采用NVMe协议的固态硬盘,如果可以应用到轻薄本上或可以进一步减少笔记本的厚度和功耗。(钉科技原创,转载务必注明出处“钉科技”)


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