迅弛2平台精彩亮点DDR3与DDR2内存对比

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    【驱动中国 评测】笔记本频道7月5日   迅驰2平台是最近最热门的话题，它的亮点就在于支持DDR3内存，但是DDR3内存对这一新的平台有什么影响呢？起到什么样的作用？和之前的DDR2内存有什么样的差异呢？答案就在下面的详细评测中……

    采用DDR3内存就代表着笔记本将有更高的数据带宽，也会更加省电。DDR2内存工作电压为1.8V，DDR3内存工作电压为1.5V。通俗的讲DDR3内存可以让笔记本执行效率更高，为整个笔记本电脑节省宝贵的电量。

    下面是两款内存的对比图：

DDR3内存 及DDR3与DDR2内存对比

    从图中可以看出二者的尺寸相差不大，但是产品插槽缺口不同，这也就意味着支持DDR3内存的笔记本电脑插槽将会重新被设计。

    DDR3内存信息：

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    DDR2内存信息：

    通过对比可得到如下的结论：

1. 工作电压与频率 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度，目前最为快速的DDR2内存速度为800Mhz/1066Mhz。

2. 逻辑Bank数量   DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

3. 封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

4. 突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

5. 寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

提示：由于DDR3采用了8bit数据预取，所以芯片内部存储单元的运行频率是数据传输率的八分之一，即DDR3-800内存芯片的内部存储单元的运行频率为100MHz，也正因为如此DDR3内存可获得更高的数据传输率。但是，这里还要再次强调，DDR3内存的运行频率（时钟频率）仍为数据传输率的二分之一，这点对所有DDR内存都通用，而不能错误的认为DDR3的运行频率为数据传输率的八分之一。因为内部存储单元的频率跟内存的实际工作频率是不同的概念。

    编辑点评：可以看出DDR3比DDR2的功耗低，所以直接影响到电池能力和发热量，新推出的笔记本将会在电池续航能力和发热上有很好的改善，体积可能设计的会更紧凑和小巧。